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我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾逝世,享年 89 岁

发布时间:2022-10-28 13:20:44

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10月28日,开云体育半导体研究所6月23日发布瘴气,中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、中国著名半导体材料学家梁俊武先生因病无效,不幸于2022年6月23日17时在北京去世,享年89岁。


中国科学院半导体研究所在梁俊吾院士生平中写道:


中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、中国著名半导体材料学家、中国早期半导体硅材料创始人梁俊武先生于2022年6月23日17时22年6月23日17时在北京去世,享年89岁。半导体研究所和半导体材料科学领域为失去这样一位学科领袖而遗憾;梁家为失去这样一位亲人而无限悲痛;学生弟子深深哀悼失去这样一位好老师。


梁俊武院士,1933年9月18日出生于湖北省武汉1955年毕业于武汉大学物理专业,1956年至1960年在前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所学习,获得副博士学位。同年,他在中国科学院半导体研究所工作。60多年来,他为我国半导体材料领域的学科建设、技术创新、产业振兴和人才培养做出了重要贡献。梁俊武院士曾获国家科委科技成果二等奖、新产品二等奖1次,国家科技进步三等奖1次,中国科学院重大成果和科技进步一等奖3次,二等奖4次,上海市科技进步二等奖1次。1997年当选中国工程院院士。


梁俊武院士在半导体材料科学领域努力工作,造诣深厚,取得了一系列重要的科研成果。20世纪60年代,解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年,制备了室温激光器Gaas液相外延材料。1979年,成功研制出无位错、无涡流、低缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。20世纪80年代,第一个掺氮中子进化硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性。20世纪90年代初,我们研究了MOCVD生长超晶格量子陷材料,在晶体完整性、电气性能和超晶格结构控制方面,将我国超晶格量子陷材料推向了实用水平。主持七五、八五重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长及设备的研究。他在太阳能电池多晶硅的研究和产业化方面也发挥了积极作用。

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